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半导体器件包括设置在衬底上的漂移层。漂移层具有非平面表面，所述非平面表面具有平行于半导体器件的沟道的长度而定向的多个重复特征。此外，每一个重复特征具有比漂移层的剩余部分高的掺杂剂浓度。...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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