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本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包含提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有场效应晶体管，所述场效应晶体管具有源极区、漏极区、浅掺杂区以及沟道区；去除所述源极区和漏极区中的所述半导体衬底，以在所述源极区和漏极区中形成空腔；在所述空腔中形...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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