温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅及其制备方法，包括以下步骤：1)在硅基片上依次生长第一栅氧化层和氮化硅层；2)依次刻蚀氮化硅层和第一栅氧化层以形成沟槽开口；3)在沟槽开口处生长一二氧化硅层；4)刻蚀去除沟槽开口处的二氧化硅层；...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。