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一种制造隧穿场效晶体管(TFET)的方法，包括在被外延生长的源极材料(220)覆盖的衬底(200)上形成被侧壁间隔物(320)围绕的伪栅极堆叠(310)；形成掺杂的源极区(530)和漏极区(520)，之后形成围绕该侧壁间隔物的层间电介质(5...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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