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本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种NAND型闪存单元结构的制备方法，通过改变工艺流程设计，能够克服传统空气隙NAND闪存单元结构隔离效果差，需要特别工艺设备的缺点，有效改进NAND闪存中字线之间空气隙的隔离效果，从而提高NAND闪存...
该专利属于上海新储集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新储集成电路有限公司授权不得商用。

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