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原子层沉积设备制造技术
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文档序号:10872605
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本实用新型涉及原子层沉积设备。一种原子层沉积设备包括:传送室(110);分别与传送室连通的预清洗室(134)、热处理室(138)、加载闭锁室(140)、以及多个反应室(121、122、123);与加载闭锁室连通的前端模块(150);传送室中...
该专利属于沈阳拓荆科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过沈阳拓荆科技有限公司授权不得商用。
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