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本发明公开了一种浅沟槽隔离方法，包括以下步骤：步骤一、提供基底，基底的一侧表面形成有栅电极，相邻的栅电极之间形成浅沟槽；步骤二、在步骤一得到的基底上形成有栅电极的一侧沉积高密度等离子体氧化物形成高密度等离子体氧化物层；步骤三、采用湿法腐蚀对...
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