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本发明涉及磁屏蔽、半导体器件和半导体封装。提供一种提高了对外部磁场的屏蔽特性的磁屏蔽。磁屏蔽MS1具有面内磁化作为剩余磁化，并适于通过在磁场垂直方向上向磁屏蔽施加磁场以产生磁化方向上的垂直分量。...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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