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本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片放入扩散炉内进行氧化处理；(2)调温至820~830℃，通源进行扩散，携源氮气采用脉冲式供气；(3)降温至780~800℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气...
该专利属于白茹所有，仅供学习研究参考，未经过白茹授权不得商用。

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