一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片放入扩散炉内进行氧化处理；(2)调温至820~830℃，通源进行扩散，携源氮气采用脉冲式供气；(3)降温至780~800℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气和氧气，进行推进处理；(4)降温出舟，完成扩散过程。本发明专利技术开发了一种新的晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，提高了扩散后方块电阻的均匀性；实验证明，由本发明专利技术的方法制得的硅片的均匀性极好，不均匀度为1.06~1.85%，且其片内和片间的均匀性均较好，效果非常显著。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的扩散制结方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将待处理的硅片放入扩散炉内进行氧化处理；(2) 调温至820~830℃，通源进行扩散，携源氮气采用脉冲式供气，每个脉冲的时间为15~30秒，在高供气点氮气流量为30000~40000 sccm，在低供气点氮气流量为10000~20000 sccm；扩散时间为15~30分钟；(3) 降温至780~800℃，停止脉冲供气，采用均一流量通入氮气和氧气，进行推进处理；所述氮气和氧气的流量分别为15000~25000 sccm和1000~2000 sccm；(4) 降温出舟，完成扩散过程。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白茹，
申请(专利权)人：白茹，
类型：发明
国别省市：江苏;32