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本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种基于低介电材料和铜互连结构的高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容及其制备方法。所公开的电容在集成电路后端工艺(铜互连)中形成，并且以TaN或TaN/Ta叠层为上下金属电极，以原子层淀积(AL...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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