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本发明涉及利用氟掺杂形成半导体设备结构的方法及半导体设备结构，提供形成在先进技术节点的半导体设备结构的方法以及在先进技术节点的各个半导体设备结构，亦即，小于100纳米。在一些示范具体实施例中，在图案化栅极电介层结构及多晶硅层用以形成栅极结构...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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