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本发明公开了一种沟槽型IJBT的制备方法，通过硅衬底中间区域增加掺杂浓度较重的深P型区和N型区，可诱导电子流向N型区集中，并穿过P型区，通过P型体区最终到达集电极，由于电中性原则，电子的集中增加了电子在N型区外围的浓度，这提高了空穴在N型区...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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