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本发明公开了一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应晶体管。本发明的器件中复合势垒层由高低不同极化强度铝铟镓氮材料组成，当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极漏端，使这部分势垒层下方沟道的二维电子气(2DEG)密度小于沟道漏端其他位置的2DEG...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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