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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一超低k层间介电层和金属互连结构；刻蚀去除部分的所述第一超低k层间介电层，以使所述金属互连结构的顶部高于所述第一超低k层间介电层；在所述金属互连结构...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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