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本发明公开了一种RF‑LDMOS自对准的漏端场板结构，包括电极层（1）、衬底（2）、外延层（3）、源极‑衬底连接层（4）、漂移区（5）、固定电位区（7）、源极（8）、沟道（9）、漏极（15）、绝缘层（10）、栅极（20）、栅极金属硅化物（2...
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