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本发明揭露一种沟渠式功率金属氧化物半导体结构与其形成方法。沟渠式功率金属氧化物半导体结构的形成方法包括：首先形成一隔离沟槽，然后形成具有不同掺杂浓度的两个掺杂层，且两个掺杂层相连位于该隔离沟槽外围，以及形成一隔离结构位于隔离沟槽内。其中两个...
该专利属于帅群微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过帅群微电子股份有限公司授权不得商用。

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