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本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，在所述源漏金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐...
该专利属于六安市华海电子器材科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过六安市华海电子器材科技有限公司授权不得商用。

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