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本发明涉及一种FinFET半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层；图案化所述掩膜层和部分所述半导体衬底，以形成多个沟槽和位于所述沟槽之间的鳍片；仅在所述沟槽底部和所述掩膜层的水平面上沿竖直方向沉积第一介电层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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