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本发明涉及一种获得SiO2包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术。采用一种简单高效、低成本、绿色环保的碱洗法对SiC@SiO2纳米电缆进行处理，通过控制反应时间，获得了不同包覆层厚度的SiC@SiO2纳米电缆...
该专利属于青岛科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛科技大学授权不得商用。

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