获得包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术制造技术

本发明专利技术涉及一种获得SiO2包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术。采用一种简单高效、低成本、绿色环保的碱洗法对SiC@SiO2纳米电缆进行处理，通过控制反应时间，获得了不同包覆层厚度的SiC@SiO2纳米电缆，并且在反应温度为70℃，NaOH溶液浓度为1mol.L-1及反应时间为40min的条件下，获得无包覆SiC纳米线；基于实验结果，推导出了可用于指导制备可控SiO2包覆层厚度的SiC@SiO2纳米电缆和无包覆SiC纳米线的理论方程。获得了SiO2包覆层厚度的可控制备技术；这将为其他纳米电缆包覆层厚度的可控处理提供了一种可行性的线索。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种获得SiO2包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术，其特征在于：以1mol.L‑1的NaOH溶液为原料，恒温磁力搅拌器中磁子的转速为900r/min，反应温度为70℃，采用碱洗法对SiC@SiO2纳米电缆进行处理，通过控制反应时间，得到了包覆层厚度不同的SiC@SiO2纳米电缆及无包覆SiC纳米线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李镇江，赵健，孟阿兰，张猛，宫璐，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：发明
国别省市：山东;37