温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示了一种三维NAND存储器的制造方法。该方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成多层层叠结构，所述层叠结构包括第一材料层和第二材料层；刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出半导体基底；在所述通孔中形成无定型硅层；刻蚀所述层叠结构以...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。