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本发明公开了一种半导体功率器件的结构，包括以下特征：有源区的单元包含有至少一个深沟槽，至少一个浅沟槽，P型基区，N型区，N型基区，N+发射区，接触孔，层间介质，表面金属和钝化层等，在深沟槽底部至少有一掺杂区，在正向导通时，深沟槽底部的掺杂区...
该专利属于深圳市力振半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市力振半导体有限公司授权不得商用。

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