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本发明公开了一种基于电荷补偿的提高MOS管模拟开关线性度方法，主要应用于集成电路领域，特别是涉及MOS管作为模拟信号采样开关的集成电路应用领域。该方法具体为，在MOS管模拟开关电路中设置补偿电路，补偿MOS管模拟开关在导通阶段由于寄生电容电...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

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