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本发明涉及一种生产效率较高且可有效防止粘片现象产生的硅片扩散处理方法以及太阳能电池片的制造方法。该硅片扩散处理方法是在对硅片进行扩散源沉积之前，先通入上述方法在硅片表面热生长一定厚度的氧化层作为隔离层，来实现紧贴做片，在扩散源沉积时不会产生...
该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。

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