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本发明的实施方式提供特性良好的半导体装置的制造方法以及制造装置。实施方式涉及的半导体装置的制造方法具备：对碳化硅基板注入杂质的工序；对所述碳化硅基板的一个面涂敷有机溶液的工序；通过在非氧化性气氛中对所述有机溶液进行加热，在所述碳化硅基板的所...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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