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本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括第一衬底部分以及被设置为从所述第一衬底部分离开一距离处的第二衬底部分。所述第一衬底部分包括界定至少一个半导体鳍的第一有源半导体层、以及直接在所述鳍上形成的第一多晶层。所述第一多晶层被构图以...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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