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本发明提供一种消除了因过程充电而产生的弊端的非易失性半导体存储器。非易失性半导体存储器的特征在于，包括：硅基板；第一氧化硅膜；第二氧化硅膜；第一氮化硅膜；第二氮化硅膜，所述第一氧化硅膜被层叠于所述硅基板上，所述第一氮化硅膜被层叠于所述第一氧...
该专利属于精工爱普生株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。

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