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半导体器件制造技术
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文档序号:10585115
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本实用新型提供一种半导体器件,其包括:补偿区,其包括p区和n区;位于所述补偿区上的包括栅电极的多个晶体管单元;一个或多个用于电连接栅电极的互连,其中所述栅电极具有比所述单元的节距的1/2小的宽度。...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。
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