温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是有关于一种记忆装置及其制造方法。该记忆装置包括一基板、一记忆材料层、一第一介电层、一第一栅极层、一第二栅极层以及一源极/漏极区。其中，基板具有一凹槽，记忆材料层形成于凹槽的一侧壁上。第一介电层、第一栅极层和第二栅极层填充于凹槽中，第...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。