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本发明公开了一种半导体器件缺陷的光学检测方法，根据二维图形中器件的电路特征，对器件结构进行准确分类，并确定每个器件结构的位置信息，随后利用这些信息，在缺陷检测过程中对应到检测区域，以快速、准确获得检测区域内不同器件结构缺陷类型的数量及每个缺...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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