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一种硅基背面减薄方法技术
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文档序号:10575218
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一种硅基背面减薄方法,涉及刻蚀工艺。该方法包括以下步骤:首先,配合使用生料带与硅胶,使得硅基片除背面待减薄区域之外的其它表面得到完全密封;其次,待硅胶充分固化后,采用腐蚀液对硅基片背面待减薄区域进行腐蚀,使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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