一种硅基背面减薄方法技术

一种硅基背面减薄方法，涉及刻蚀工艺。该方法包括以下步骤：首先，配合使用生料带与硅胶，使得硅基片除背面待减薄区域之外的其它表面得到完全密封；其次，待硅胶充分固化后，采用腐蚀液对硅基片背面待减薄区域进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；进而，减薄工艺完成后，去除生料带。由于硅胶及生料带成本低廉，安全性好，因此该方法有效克服现有技术中进行硅基减薄时保护其正面器件图形的方法成本高或使用局限性强的缺点，此外本方法适用于对不同尺寸的硅基减薄，尤其适用于实验室中应用，缩短实验周期，降低实验成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基背面减薄方法
本专利技术涉及刻蚀工艺，尤其是涉及一种硅基背面减薄方法。
技术介绍
声表面波(SAW，SurfaceAcousticWave)是沿物体表面传播的一种弹性波。声表面波传感器精度高、灵敏度高、分辨率高、抗电磁干扰能力强，不需要模/数转换。敏感器件采用半导体平面工艺制作，易于集成，便于大规模生产。现有技术中存在很多基于表声波技术的传感器，氮化铝是目前已知的声速最高的压电材料，并且具有较大的机电耦合系数，因此被广泛运用于声表面波传感器中。而声表面波传感器的核心是声表面波谐振器，然而声表面波谐振器需要将硅基减薄因此需要运用MEMS微加工工艺中的刻蚀技术。刻蚀技术包括干法刻蚀和湿法刻蚀两种。对于湿法刻蚀而言，理论上pH值超过12的碱性溶液都可以作为刻蚀液。氢氧化钾(KOH)湿法腐蚀工艺是目前广泛采用的各向异性硅湿法腐蚀工艺。由于成本低廉、安全性好、设备成本低、加工批量大、一致性较好，因此KOH在MEMS体硅加工工艺中得到了广泛的应用。但是KOH在腐蚀硅基的过程中也会腐蚀氮化铝，从而使硅基正面所刻图案遭到破坏，因此腐蚀过程中需要对硅基的正面进行保护，目前一般使用专门的夹具对其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基片背面减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：A.配合使用生料带与硅胶，使得硅基片除背面待减薄区域之外的其它表面得到完全密封；B.待硅胶充分固化后，采用腐蚀液对硅基片背面待减薄区域进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；C.减薄工艺完成后，去除生料带。

【技术特征摘要】
1.硅基背面减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：A.在载玻片上拼接生料带，并将硅胶涂覆在缝隙处，使得生料带的面积大于待减薄硅基的面积；将待减薄硅基放置在生料带上，且其正面为与生料带的接触面；在待减薄硅基背面待减薄区域边缘外侧涂覆硅胶；在所述的硅胶上拼接放置生料带，与载玻片上的生料带结合，使得硅基只露出其背面待减薄区域，并涂覆硅胶以覆盖住生料带的缝隙，使得待减薄的硅基得到完全密封；B.待硅胶充分固化后，进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；C.减薄工艺完成后...

【专利技术属性】
技术研发人员：张万里，陈鹏，彭斌，李川，王瑜，舒琳，曾义红，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51