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一种晶体管的形成方法，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；对栅介质层进行杂质掺杂，用于调整晶体管的功函数；进行杂质掺杂后，在栅介质层上形成栅极。本发明对栅介质层进行杂质掺杂，可以在栅介质层中形成功函数调整区。而且，该杂质掺杂过程可以有效控制杂...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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