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本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种U形沟槽的功率器件及其制造方法。本发明的U形沟槽的功率器件是在漏区之上的漂移区内设有电荷补偿区，该电荷补偿区与漂移区之间形成超结结构，能够提高功率器件的击穿电压，即在不降低功率器件击穿电压的条...
该专利属于苏州东微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体有限公司授权不得商用。

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