温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体测试结构及测试方法，所述半导体测试结构包括：待测试PMOS晶体管的源极、漏极与第一测试端和第二测试端相连接，所述待测试PMOS晶体管的栅极与第三测试端相连接；加热单元、调节电阻和控制NMOS晶体管的源极、漏极串联形成串联结构，所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。