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本发明公开了一种具有谐振腔增强效应栅格阵列型的SOI光电探测器，已有CMOS光电探测器结构的半导体CMOS工艺限制了器件结构与电学特性的改善。本发明包括p型半导体衬底、埋氧化层、n型掺杂区、p型欧姆接触区、环形地电极、环形电压极、n型欧姆接...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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