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本发明提供了一种同步刻蚀浮栅的制作工艺，包括：在工作区上依次氧化生成隧道氧化层和沉积多晶硅并掺杂；在所述掺杂的多晶硅上沉积保护层；按照第一预设图模刻蚀所述掺杂的多晶硅形成浅绝缘沟；在所述浅绝缘沟表面沉积第一氧化物薄膜；高温氧化所述第一氧化物...
该专利属于北京兆易创新科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京兆易创新科技股份有限公司授权不得商用。

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