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一种静电放电保护结构，包括：P型半导体衬底；位于所述P型半导体衬底表面并列设置的若干NMOS晶体管，位于所述P型半导体衬底内的连接区和N型阱区，所述N型阱区至少位于所述连接区和NMOS晶体管之间；所述N型阱区、NMOS晶体管的漏极与静电放电...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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