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本发明公开一种具有自对准特点的沟槽金属氧化物半导体场效应管，可以在节省掩模版的同时，降低开启电阻。根据本发明的沟槽金属氧化物半导体场效应管包括一个介电质侧墙，包围沟槽式源体接触区的上部分，可以降低开启电阻并改善雪崩特性。...
该专利属于力士科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力士科技股份有限公司授权不得商用。

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