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本发明涉及形成用于图案化底层结构的掩膜层的方法，本文揭露一例示性方法，包括：在结构上方形成包含多个分离的开口的图案化硬掩膜层，其中，该图案化硬掩膜层包含多个交叉线状特征；在该图案化硬掩膜层上方形成图案化蚀刻掩膜，其曝露出至少一个，但非全部的...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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