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一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法技术
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文档序号:10444847
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本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法,利用先进的量子点组装技术,在硅/二氧化硅衬底上,组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道,随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分...
该专利属于福州大学所有,仅供学习研究参考,未经过福州大学授权不得商用。
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