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本揭露涉及用在HK/MG程序流程的P型半导体装置，提供在半导体衬底内具有第一PMOS主动区及第二PMOS主动区的半导体装置结构。硅锗信道层仅形成在第二PMOS主动区上方。栅极电极形成在第一与第二PMOS主动区上方，其中第二PMOS主动区上方...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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