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本发明公开了一种形成场效应晶体管（FET）的源极/漏极区的机制以及源级和漏极区的外延形成机制的非对称循环沉积和蚀刻工艺，在S/D区的外延形成过程中，将Cl2用作蚀刻剂。该机制包括使用非对称循环沉积和蚀刻（ACDE）工艺来形成准备层，使得后续...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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