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本文描述了一种非易失性存储器架构，其具有为存储系统提供低写放大的写和重写能力。通过示例的方式公开了一种存储器阵列，其包括双端存储单元块和子块。该双端存储单元可被直接重写。在一些实施方式中促进了低至1的写放大值。此外，存储器阵列可具有输入输出...
该专利属于科洛斯巴股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科洛斯巴股份有限公司授权不得商用。

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