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本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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