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本发明公开了一种低欧姆接触电阻的半导体器件及其制作方法，半导体器件从下到上依次包括：衬底层；氮化物成核层；氮极性面的氮化物缓冲层；氮化物势垒层；氮化物沟道层；氮化物过渡层；氮化物帽层；氮化物过渡层和氮化物帽层的中部被刻蚀贯穿形成栅极凹槽；源...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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