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本发明涉及具有与晶体管长度脱钩的栅极硅长度的触点几何，提供用于形成半导体器件的方法。在一个实施例中，提供具有栅极绝缘层和形成在栅极绝缘层上的栅极电极结构的栅极结构。所述方法提供沿平行于连接源极和漏极的方向延伸的方向相对于栅极绝缘层减少栅极电...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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