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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供硅基体，在所述硅基体上形成掩埋氧化物层，并在所述掩埋氧化物层上形成鳍形Si1-x-yGexCy、Si1-xGex或者Si1-yCy应力沟道；执行氮离子注入，以在上述鳍形应力沟道中形成扩散阻挡注入...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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