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此处揭露的数个实施例有关于薄膜晶体管(TFT)与用以制造薄膜晶体管的方法。特别是，此处的实施例有关于用以在低温下形成半导体层的方法，半导体层用于TFT中。半导体层的形成可通过：沉积氮化物层或氮氧化物层，例如氮化锌或氮氧化锌，且接着将氮化物层...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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